STM e TSMC insieme per accelerare adozione tecnologie GaN

(Teleborsa) - STMicroelectronics collabora con TSMC, la più grande foundry mondiale specializzata in semiconduttori, per accelerare lo sviluppo di
tecnologie di processo per il nitruro di gallio (GaN) e la fornitura al mercato di dispositivi GaN discreti e integrati. Grazie a questa collaborazione, i prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando tecnologia di processo GaN di TSMC all’avanguardia.

Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori tradizionali basati sul silicio per le applicazioni di potenza. Tra questi figurano la maggiore efficienza energetica a potenze più elevate, che porta a una sostanziale riduzione delle perdite di potenza dovute a correnti parassite, e la possibilità di progettare dispositivi più compatti per fattori di forma migliori. Inoltre, i dispositivi basati sul GaN presentano velocità di commutazione anche 10 volte superiori rispetto ai dispositivi basati sul silicio quando operano a temperature più elevate.

Queste caratteristiche intrinseche di robustezza fanno del GaN un materiale ideale per l’adozione su larga scala in applicazioni in evoluzione come quelle dei settori automotive, industriale, telecomunicazioni e altre applicazioni specifiche del mercato dell’elettronica di consumo, sia nei cluster a 100 V sia in quelli a 650 V.

(Foto: Adi Goldstein on Unsplash)