(Teleborsa) -
STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e Leti, istituto di ricerca di CEA Tech, hanno annunciato una collaborazione finalizzata a industrializzare tecnologie GaN-on-Silicon (nitruro di gallio su silicio) per dispositivi di commutazione di potenza.
Questa tecnologia di potenza GaN-on-Si permetterà a ST di supportare applicazioni ad alta efficienza e ad alta potenza quali caricatori a bordo auto per veicoli ibridi ed elettrici, soluzioni di ricarica wireless e server.
La collaborazione verte principalmente sullo sviluppo e la qualificazione di architetture di potenza avanzate di diodi e transistor GaN-on-Silicon su fette di silicio da 200 mm, un mercato per il quale la società di ricerca IHS Markit prevede una crescita con un CAGR di oltre il 20% tra il 2019 e il 2024.