(Teleborsa) -
STMicroelectronics annuncia la fornitura a BorgWarner, leader nelle soluzioni di mobilità innovative e sostenibili, dei più recenti
dispositivi in carburo di silicio (SiC) per MOSFET di potenza da 750 V di terza generazione
destinati al modulo di potenza proprietario basato su Viper, che viene utilizzato nelle piattaforme inverter di trazione di BorgWarner
per i veicoli elettrici di Volvo Cars.
"Questa collaborazione fornirà a Volvo Cars l’opportunità di accrescere ulteriormente l’attrattività dei nostri veicoli elettrici con un’autonomia superiore e tempi di ricarica più brevi. Supporterà inoltre la transizione della nostra azienda verso la propulsione completamente elettrica entro il 2030 e rafforzerà la nostra integrazione verticale accresciuta e il nostro controllo sui componenti
critici," dichiara
Javier Varela, Chief Operating Officer & Deputy CEO di Volvo Cars.
"BorgWarner è lieta di collaborare con ST per fornire al nostro cliente di lunga data Volvo Cars gli inverter per le sue piattaforme BEV di prossima generazione", dichiara
Stefan Demmerle, Vice President di BorgWarner nonché President & General Manager di PowerDrive Systems.
Per sfruttare appieno le prestazioni dei dispositivi dei MOSFET in SiC di ST, BorgWarner ha lavorato
a stretto contatto con il team tecnico di ST per abbinare il dispositivo di quest’ultima con lo switch di potenza Viper di BorgWarner, massimizzando così le prestazioni dell’inverter e realizzando un’architettura compatta ed efficiente rispetto al costo.
"La nostra collaborazione con BorgWarner, fornitore leader del settore automobilistico per l’elettrificazione, consentirà a Volvo Cars di offrire ai suoi clienti veicoli con prestazioni e autonomia superiori", dichiara
Marco Monti, Presidente dell’Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics.
I prodotti STPOWER in carburo di silicio sono prodotti in volumi elevati negli impianti di ST in Italia e a Singapore, mentre il packaging avanzato, e il testing vengono eseguiti presso gli impianti back-end dell’azienda in Marocco e Cina. A ottobre 2022, ST ha annunciato l’espansione della sua capacità produttiva di semiconduttori a larga banda interdetta con un nuovo impianto integrato per la produzione di substrati in SiC a Catania, il centro delle competenze aziendali nei semiconduttori di potenza e il sito di attività integrate di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC.