(Teleborsa) -
STMicroelectronics collabora con TSMC, la più grande foundry mondiale specializzata in semiconduttori, per
accelerare lo sviluppo ditecnologie di processo per il nitruro di gallio (GaN) e la fornitura al mercato di
dispositivi GaN discreti e integrati. Grazie a questa collaborazione, i
prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando tecnologia di processo GaN di TSMC all’avanguardia.
Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre
vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori tradizionali basati sul silicio
per le applicazioni di potenza. Tra questi figurano la maggiore
efficienza energetica a potenze più elevate, che porta a una sostanziale riduzione delle perdite di potenza dovute a correnti parassite, e la possibilità di
progettare dispositivi più compatti per fattori di forma migliori. Inoltre, i dispositivi basati sul GaN presentano
velocità di commutazione anche 10 volte superiori rispetto ai dispositivi basati sul silicio quando operano a temperature più elevate.
Queste caratteristiche intrinseche di robustezza fanno del GaN un
materiale ideale per l’adozione su larga scala in applicazioni in evoluzione come quelle dei settori
automotive, industriale, telecomunicazioni e altre applicazioni specifiche del mercato dell’
elettronica di consumo, sia nei cluster a 100 V sia in quelli a 650 V.
(Foto: Adi Goldstein on Unsplash)